パワー電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、プリドライバ、コントローラ、及び感知レジスタの統合[ja]

被引：0

申请号：

JP20170531472

申请日：

2015-12-10

公开(公告)号：

JP2018503250A

公开(公告)日：

2018-02-01

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L25/04

IPC分类号：

H01L25/065 H01L25/07 H01L25/18

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共 29 条

[1]

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013179379A1 ,2016-01-14

[2]

電界効果トランジスタおよびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014097526A1 ,2017-01-12

[3]

広バンドギャップ・ユニポーラ／バイポーラ・トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP2025503314A ,2025-01-30

[4]

バイパスされたゲート構造を有するトランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP2022079655A ,2022-05-26

[5]

金属ラインおよびビアのマトリクスの挿入によるエレクトロマイグレーション、突入電流効果、ＩＲ電圧降下、およびジッタの軽減[ja] [P].

日本专利 :JP2017521871A ,2017-08-03

[6]

シリコンソーラセルのコンタクトグリッドとエミッタレイヤ間のオーミックコンタクト挙動を改善する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2021513218A ,2021-05-20

[7]

改善したレイアウトを有するトランジスタを備える高電流密度電力モジュール[ja] [P].

日本专利 :JP2014531752A ,2014-11-27

[8]

電圧コントラスト検査用の荷電粒子ビーム装置及びその方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024544560A ,2024-12-03

[9]

マイクロ発光ダイオードディスプレイのためのベースラインおよび整形パルス駆動[ja] [P].

日本专利 :JP2024513762A ,2024-03-27

[10]

絶縁材料用樹脂組成物、絶縁インキ、絶縁膜及びそれを用いた有機電界効果トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014125990A1 ,2017-02-02