シリコンソーラセルのコンタクトグリッドとエミッタレイヤ間のオーミックコンタクト挙動を改善する方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20200541588

申请日：

2019-02-05

公开(公告)号：

JP2021513218A

公开(公告)日：

2021-05-20

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L31/0224

IPC分类号：

H01L31/068

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共 26 条

[1]

シリコン太陽電池のコンタクトグリッドとエミッタ層との間のオーミック接触挙動を改善するための方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023521992A ,2023-05-26

[2]

有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014200034A1 ,2017-02-23

[3]

有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018186101A1 ,2020-03-05

[4]

コンクリートの電気化学的脱塩処理方法[ja] [P].

SHICHIZAWA AKIRA ;

SASAKI TAKASHI ;

SHOJI SHIN ;

MUROKAWA MASANORI ;

OMI WATARU ;

HONDA KOTARO ;

SHONO KOTA ;

OHASHI TAKESHI ;

TEZUKA NORIO ;

KITAGUCHI OSAMU ;

SATO KENTA ;

SHOJI AKIO ;

YAMADA HIROYUKI ;

ISHII TOMOHIRO ;

TAKAHASHI KENICHI ;

UEDA TAKAO .

日本专利 :JP2024076238A ,2024-06-05

[5]

ＥＳＤデバイスのためのコンタクトアレイ最適化[ja] [P].

日本专利 :JP2019520710A ,2019-07-18

[6]

垂直ハイブリッドスピントルクトランスファ（ＳＴＴ）及びスピン軌道トルク（ＳＯＴ）磁気ランダムアクセスメモリの共有ソース線アーキテクチャ[ja] [P].

日本专利 :JP2020513679A ,2020-05-14

[7]

レドックスフロー電池用のポリベンズイミダゾール（ＰＢＩ）膜[ja] [P].

日本专利 :JP2022501766A ,2022-01-06

[8]

パワー電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、プリドライバ、コントローラ、及び感知レジスタの統合[ja] [P].

日本专利 :JP2018503250A ,2018-02-01

[9]

ニューラルネットワークモデルを訓練する方法、めっき装置、及びコンピュータプログラム[ja] [P].

日本专利 :JP7727354B1 ,2025-08-21

[10]

金属ラインおよびビアのマトリクスの挿入によるエレクトロマイグレーション、突入電流効果、ＩＲ電圧降下、およびジッタの軽減[ja] [P].

日本专利 :JP2017521871A ,2017-08-03