センサ素子を備えたワイド・バンドギャップ半導体デバイス[ja]

被引：0

申请号：

JP20230553110

申请日：

2022-02-25

公开(公告)号：

JP2024510130A

公开(公告)日：

2024-03-06

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/12 H10N97/00

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共 50 条

[1]

ワイドバンドギャップ半導体デバイス上にオーミックコンタクトを形成する方法およびワイドバンドギャップ半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2024517079A ,2024-04-19

[2]

ワイドバンドギャップ半導体材料用ＩＧＢＴ構造[ja] [P].

日本专利 :JP2017508300A ,2017-03-23

[3]

ワイドバンドギャップ半導体材料用ＩＧＢＴ構造[ja] [P].

日本专利 :JP6888956B2 ,2021-06-18

[4]

ワイドバンドギャップ材料を含む荷電粒子センサ[ja] [P].

BRANISLAV STRAKA ;

JAN LASKO ;

LIBOR NOVAK ;

VOJTECH MAHEL ;

RADEK SMOLKA ;

PETR GLAJC .

日本专利 :JP2024084725A ,2024-06-25

[5]

ワイドギャップ半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019116481A1 ,2019-12-19

[6]

ワイドギャップ半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP6554614B1 ,2019-07-31

[7]

ワイドギャップ半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019092872A1 ,2020-11-12

[8]

ワイドギャップ半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP6530567B1 ,2019-06-12

[9]

ワイドギャップ半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019092871A1 ,2019-11-14

[10]

ハイブリッド半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2024502029A ,2024-01-17

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