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ワイドギャップ半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20180541226
申请日
:
2017-11-13
公开(公告)号
:
JP6530567B1
公开(公告)日
:
2019-06-12
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/06
IPC分类号
:
H01L21/28
H01L21/8234
H01L27/06
H01L27/088
H01L29/12
H01L29/41
H01L29/423
H01L29/47
H01L29/49
H01L29/78
H01L29/861
H01L29/868
H01L29/872
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
ワイドギャップ半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019116481A1
,2019-12-19
[2]
ワイドギャップ半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6554614B1
,2019-07-31
[3]
ワイドギャップ半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019092872A1
,2020-11-12
[4]
ワイドギャップ半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019092871A1
,2019-11-14
[5]
ワイドバンドギャップ半導体材料用IGBT構造[ja]
[P].
日本专利
:JP2017508300A
,2017-03-23
[6]
ワイドバンドギャップ半導体材料用IGBT構造[ja]
[P].
日本专利
:JP6888956B2
,2021-06-18
[7]
ワイドバンドギャップ半導体デバイス上にオーミックコンタクトを形成する方法およびワイドバンドギャップ半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2024517079A
,2024-04-19
[8]
センサ素子を備えたワイド・バンドギャップ半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2024510130A
,2024-03-06
[9]
ワイドバンドギャップ半導体材料含有のエミッタ領域を有する太陽電池[ja]
[P].
日本专利
:JP6321861B2
,2018-05-09
[10]
ワイドバンドギャップ半導体材料含有のエミッタ領域を有する太陽電池[ja]
[P].
日本专利
:JP2015514314A
,2015-05-18
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