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ワイドバンドギャップ半導体材料含有のエミッタ領域を有する太陽電池[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170112826
申请日
:
2017-06-07
公开(公告)号
:
JP6321861B2
公开(公告)日
:
2018-05-09
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L31/072
IPC分类号
:
H01L31/18
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
ワイドバンドギャップ半導体材料含有のエミッタ領域を有する太陽電池[ja]
[P].
日本专利
:JP6746854B2
,2020-08-26
[2]
ワイドバンドギャップ半導体材料含有のエミッタ領域を有する太陽電池[ja]
[P].
日本专利
:JP2015514314A
,2015-05-18
[3]
ワイドバンドギャップ半導体材料含有のエミッタ領域を有する太陽電池[ja]
[P].
日本专利
:JP6178400B2
,2017-08-09
[4]
ワイドバンドギャップ半導体デバイス上にオーミックコンタクトを形成する方法およびワイドバンドギャップ半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2024517079A
,2024-04-19
[5]
ワイドギャップ半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019116481A1
,2019-12-19
[6]
ワイドギャップ半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6554614B1
,2019-07-31
[7]
ワイドギャップ半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019092872A1
,2020-11-12
[8]
ワイドギャップ半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6530567B1
,2019-06-12
[9]
ワイドギャップ半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019092871A1
,2019-11-14
[10]
ワイドバンドギャップ半導体材料用IGBT構造[ja]
[P].
日本专利
:JP2017508300A
,2017-03-23
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