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ワイドバンドギャップ半導体材料含有のエミッタ領域を有する太陽電池[ja]

被引：0
申请号：
JP20170112826
申请日：
2017-06-07
公开(公告)号：
JP6321861B2
公开(公告)日：
2018-05-09
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L31/072
IPC分类号：
H01L31/18
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[21]
バンドギャップ変動型の光起電セル[ja] [P]. 
日本专利 :JP2016533031A ,2016-10-20
[22]
非固有半導体基板上の広バンドギャップトランジスタ及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2017501562A ,2017-01-12
[23]
化合物、有機半導体材料、有機半導体素子、有機太陽電池及び有機トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP7029721B2 ,2022-03-04
[24]
研磨パッド、研磨パッドの製造方法、及び光学材料又は半導体材料の表面を研磨する方法[ja] [P]. 
TATENO TEPPEI ;
TAKAMIZAWA YAMATO ;
OCHI KEISUKE ;
KAWASAKI TETSUAKI .
日本专利 :JP2024047977A ,2024-04-08
[25]
研磨パッド、研磨パッドの製造方法、及び光学材料又は半導体材料の表面を研磨する方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7405500B2 ,2023-12-26
[26]
研磨パッド、研磨パッドの製造方法、及び光学材料又は半導体材料の表面を研磨する方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7072429B2 ,2022-05-20
[27]
研磨パッド、研磨パッドの製造方法、及び光学材料又は半導体材料の表面を研磨する方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7774414B2 ,2025-11-21
[28]
研磨パッド、研磨パッドの製造方法、及び光学材料又は半導体材料の表面を研磨する方法[ja] [P]. 
TATENO TEPPEI ;
TAKAMIZAWA YAMATO ;
OCHI KEISUKE ;
KAWASAKI TETSUAKI .
日本专利 :JP2024141175A ,2024-10-10
[29]
研磨パッド、研磨パッドの製造方法、及び光学材料又は半導体材料の表面を研磨する方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7191749B2 ,2022-12-19
[30]
研磨パッド、研磨パッドの製造方法、光学材料又は半導体材料の表面を研磨する方法、及び研磨パッドの評価方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7534861B2 ,2024-08-15
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