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ワイドバンドギャップ材料を含む荷電粒子センサ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20230208931
申请日
:
2023-12-12
公开(公告)号
:
JP2024084725A
公开(公告)日
:
2024-06-25
发明(设计)人
:
BRANISLAV STRAKA
JAN LASKO
LIBOR NOVAK
VOJTECH MAHEL
RADEK SMOLKA
PETR GLAJC
申请人
:
FEI CO
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01J37/244
IPC分类号
:
H01J37/28
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
センサ素子を備えたワイド・バンドギャップ半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2024510130A
,2024-03-06
[2]
ワイドバンドギャップ半導体材料用IGBT構造[ja]
[P].
日本专利
:JP2017508300A
,2017-03-23
[3]
ワイドバンドギャップ半導体材料用IGBT構造[ja]
[P].
日本专利
:JP6888956B2
,2021-06-18
[4]
ワイドバンドギャップ半導体デバイス上にオーミックコンタクトを形成する方法およびワイドバンドギャップ半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2024517079A
,2024-04-19
[5]
バンドギャップ変動型の光起電セル[ja]
[P].
日本专利
:JP2016533031A
,2016-10-20
[6]
ワイドバンドギャップ基板を加熱する方法及びシステム[ja]
[P].
日本专利
:JP2024541233A
,2024-11-08
[7]
ワイドバンドギャップを有する半導体材料で作られた層のスタックを含むキャパシタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2024510144A
,2024-03-06
[8]
ワイドギャップ半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019116481A1
,2019-12-19
[9]
ワイドギャップ半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6554614B1
,2019-07-31
[10]
ワイドギャップ半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019092871A1
,2019-11-14
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