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ワイドバンドギャップを有する半導体材料で作られた層のスタックを含むキャパシタ[ja]

被引：0
申请号：
JP20230553959
申请日：
2022-03-03
公开(公告)号：
JP2024510144A
公开(公告)日：
2024-03-06
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/822
IPC分类号：
H01G4/12 H10N97/00 H01G4/30
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
ワイドバンドギャップ半導体デバイス上にオーミックコンタクトを形成する方法およびワイドバンドギャップ半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2024517079A ,2024-04-19
[2]
ワイドバンドギャップ半導体材料含有のエミッタ領域を有する太陽電池[ja] [P]. 
日本专利 :JP6321861B2 ,2018-05-09
[3]
ワイドバンドギャップ半導体材料含有のエミッタ領域を有する太陽電池[ja] [P]. 
日本专利 :JP6178400B2 ,2017-08-09
[4]
ワイドバンドギャップ半導体材料含有のエミッタ領域を有する太陽電池[ja] [P]. 
日本专利 :JP2015514314A ,2015-05-18
[5]
ワイドバンドギャップ半導体材料含有のエミッタ領域を有する太陽電池[ja] [P]. 
日本专利 :JP6746854B2 ,2020-08-26
[6]
ワイドバンドギャップ材料を含む荷電粒子センサ[ja] [P]. 
BRANISLAV STRAKA ;
JAN LASKO ;
LIBOR NOVAK ;
VOJTECH MAHEL ;
RADEK SMOLKA ;
PETR GLAJC .
日本专利 :JP2024084725A ,2024-06-25
[7]
ワイドバンドギャップ半導体材料用ＩＧＢＴ構造[ja] [P]. 
日本专利 :JP2017508300A ,2017-03-23
[8]
ワイドバンドギャップ半導体材料用ＩＧＢＴ構造[ja] [P]. 
日本专利 :JP6888956B2 ,2021-06-18
[9]
センサ素子を備えたワイド・バンドギャップ半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2024510130A ,2024-03-06
[10]
ワイドバンドギャップ基板を加熱する方法及びシステム[ja] [P]. 
日本专利 :JP2024541233A ,2024-11-08
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