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アニオン交換防止のためのハライドペロブスカイトナノ粒子のシェル形成[ja]
被引:0
申请号
:
JP20190516668
申请日
:
2017-09-26
公开(公告)号
:
JP2020500134A
公开(公告)日
:
2020-01-09
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C01G21/16
IPC分类号
:
C09K11/08
C09K11/66
G02B5/20
H01L33/50
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
水平ゲートオールアラウンドデバイスのナノワイヤの空隙スペーサ形成[ja]
[P].
日本专利
:JP2019515494A
,2019-06-06
[2]
ペロブスカイト太陽電池モジュールのための高速ハイブリッドCVD[ja]
[P].
日本专利
:JP2023534606A
,2023-08-10
[3]
アルキル化反応のための担持されたナノ粒子ゼオライト触媒[ja]
[P].
日本专利
:JP2015506832A
,2015-03-05
[4]
コア/シェルナノ粒子の製造プロセス及びコア/シェルナノ粒子[ja]
[P].
日本专利
:JP2015533630A
,2015-11-26
[5]
ゲートオールアラウンドナノシート入出力デバイスのためのコンフォーマル酸化[ja]
[P].
日本专利
:JP2023536856A
,2023-08-30
[6]
排気ガス処理用途のためのアニオン性PGMカルボキシレート支援PGMナノ粒子合成[ja]
[P].
日本专利
:JP2024525263A
,2024-07-12
[7]
半導体アプリケーション用の水平ゲートオールアラウンドデバイスのためのナノワイヤ製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2019500756A
,2019-01-10
[8]
ペロブスカイト層の高速製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022534602A
,2022-08-02
[9]
水平ゲートオールアラウンド(hGAA)ナノワイヤ及びナノスラブトランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2022552417A
,2022-12-15
[10]
フルオロシクロペンテニルシトシンの使用および調製のプロセス[ja]
[P].
日本专利
:JP2018516947A
,2018-06-28
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