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ハイパワーデバイスの熱管理用ダイヤモンドエアブリッジ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20200504269
申请日
:
2018-04-05
公开(公告)号
:
JP2020517119A
公开(公告)日
:
2020-06-11
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/338
IPC分类号
:
H01L21/336
H01L29/778
H01L29/78
H01L29/812
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
ハイブリッド半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2024502029A
,2024-01-17
[2]
マイクロ発光ダイオード(LED)デバイスとのハイブリッドボンディング[ja]
[P].
日本专利
:JP2025501620A
,2025-01-22
[3]
ハイブリッド吸着装置熱交換デバイスおよび製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2017508121A
,2017-03-23
[4]
エッジリングの温度及びバイアスの制御[ja]
[P].
日本专利
:JP2022523069A
,2022-04-21
[5]
合成ダイヤモンド光学ミラー[ja]
[P].
日本专利
:JP2017502333A
,2017-01-19
[6]
水平ゲートオールアラウンドデバイスのナノワイヤの空隙スペーサ形成[ja]
[P].
日本专利
:JP2019515494A
,2019-06-06
[7]
薄膜トランジスタ用のハイブリッド誘電体材料[ja]
[P].
日本专利
:JP6258569B2
,2018-01-10
[8]
CIGS光起電力デバイス用モリブデン基板[ja]
[P].
日本专利
:JP2016502759A
,2016-01-28
[9]
ペロブスカイト太陽電池モジュールのための高速ハイブリッドCVD[ja]
[P].
日本专利
:JP2023534606A
,2023-08-10
[10]
パワー半導体デバイスの製造方法およびパワー半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2025519797A
,2025-06-26
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