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酸化物被覆基材の形成方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20150551781
申请日
:
2014-01-03
公开(公告)号
:
JP2016507366A
公开(公告)日
:
2016-03-10
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
B05D7/24
IPC分类号
:
B01J27/24
B01J35/00
B05D3/02
C04B41/85
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
酸化物被覆基材の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6442416B2
,2018-12-19
[2]
酸化物薄膜の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6005288B2
,2016-10-12
[3]
金属酸化物の形成方法[ja]
[P].
YAMAZAKI SHUNPEI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
YAMAZAKI SHUNPEI
;
NAKAYAMA TOMONORI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
NAKAYAMA TOMONORI
.
日本专利
:JP2025075041A
,2025-05-14
[4]
酸化物薄膜の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015011855A1
,2017-03-02
[5]
酸化物形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5889959B2
,2016-03-22
[6]
酸化物形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5762705B2
,2015-08-12
[7]
In金属酸化物膜の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5730326B2
,2015-06-10
[8]
酸化物超電導体厚膜の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007069723A1
,2009-05-28
[9]
金属酸化物膜形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6716129B2
,2020-07-01
[10]
酸化物分散強化皮膜の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5897370B2
,2016-03-30
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