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金属酸化物の形成方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20250022207
申请日
:
2025-02-14
公开(公告)号
:
JP2025075041A
公开(公告)日
:
2025-05-14
发明(设计)人
:
YAMAZAKI SHUNPEI
NAKAYAMA TOMONORI
申请人
:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/365
IPC分类号
:
C23C16/40
C23C16/455
C23C16/56
H10B12/00
H10B41/70
H10D30/01
H10D30/67
H10D84/80
H10D84/83
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
In金属酸化物膜の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5730326B2
,2015-06-10
[2]
金属酸化物膜形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6716129B2
,2020-07-01
[3]
酸化物薄膜の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6005288B2
,2016-10-12
[4]
酸化物薄膜の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015011855A1
,2017-03-02
[5]
金属酸化物薄膜形成装置及び金属酸化物薄膜形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019098289A1
,2020-11-19
[6]
金属酸化物薄膜形成装置及び金属酸化物薄膜形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6924515B2
,2021-08-25
[7]
酸化物形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5889959B2
,2016-03-22
[8]
酸化物形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5762705B2
,2015-08-12
[9]
酸化物被覆基材の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2016507366A
,2016-03-10
[10]
酸化物被覆基材の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6442416B2
,2018-12-19
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