金属酸化物の形成方法[ja]

被引:0
申请号
JP20250022207
申请日
2025-02-14
公开(公告)号
JP2025075041A
公开(公告)日
2025-05-14
发明(设计)人
YAMAZAKI SHUNPEI NAKAYAMA TOMONORI
申请人
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/365
IPC分类号
C23C16/40 C23C16/455 C23C16/56 H10B12/00 H10B41/70 H10D30/01 H10D30/67 H10D84/80 H10D84/83
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
In金属酸化物膜の形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5730326B2 ,2015-06-10
[2]
金属酸化物膜形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6716129B2 ,2020-07-01
[3]
酸化物薄膜の形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6005288B2 ,2016-10-12
[4]
酸化物薄膜の形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015011855A1 ,2017-03-02
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[7]
酸化物形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5889959B2 ,2016-03-22
[8]
酸化物形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5762705B2 ,2015-08-12
[9]
酸化物被覆基材の形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2016507366A ,2016-03-10
[10]
酸化物被覆基材の形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6442416B2 ,2018-12-19