学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
強誘電体メモリ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20060511115
申请日
:
2004-03-24
公开(公告)号
:
JPWO2005091301A1
公开(公告)日
:
2008-02-07
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G11C11/22
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
強誘電体メモリ構造体[ja]
[P].
日本专利
:JP2025155926A
,2025-10-14
[2]
強誘電体メモリデバイス消去[ja]
[P].
日本专利
:JP2025530168A
,2025-09-11
[3]
強誘電体酸化物メモリデバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2020505790A
,2020-02-20
[4]
強誘電体メモリセルを動作させる方法および関連する強誘電体メモリセル[ja]
[P].
日本专利
:JP2018533154A
,2018-11-08
[5]
新規な強誘電体材料[ja]
[P].
日本专利
:JP7381454B2
,2023-11-15
[6]
新規な強誘電体材料[ja]
[P].
日本专利
:JP7212522B2
,2023-01-25
[7]
新規な強誘電体材料[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018135457A1
,2019-11-21
[8]
(メタ)アクリル系誘電体材料[ja]
[P].
日本专利
:JP6910755B2
,2021-07-28
[9]
(メタ)アクリル系誘電体材料[ja]
[P].
日本专利
:JP6622096B2
,2019-12-18
[10]
新規な強誘電体材料[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019221041A1
,2021-07-29
←
1
2
3
4
5
→