強誘電体メモリ[ja]

被引:0
申请号
JP20060511115
申请日
2004-03-24
公开(公告)号
JPWO2005091301A1
公开(公告)日
2008-02-07
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
G11C11/22
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
強誘電体メモリ構造体[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025155926A ,2025-10-14
[2]
強誘電体メモリデバイス消去[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025530168A ,2025-09-11
[3]
強誘電体酸化物メモリデバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2020505790A ,2020-02-20
[5]
新規な強誘電体材料[ja] [P]. 
日本专利 :JP7381454B2 ,2023-11-15
[6]
新規な強誘電体材料[ja] [P]. 
日本专利 :JP7212522B2 ,2023-01-25
[7]
新規な強誘電体材料[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018135457A1 ,2019-11-21
[8]
(メタ)アクリル系誘電体材料[ja] [P]. 
日本专利 :JP6910755B2 ,2021-07-28
[9]
(メタ)アクリル系誘電体材料[ja] [P]. 
日本专利 :JP6622096B2 ,2019-12-18
[10]
新規な強誘電体材料[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019221041A1 ,2021-07-29