強誘電体メモリセルを動作させる方法および関連する強誘電体メモリセル[ja]

被引:0
申请号
JP20180506104
申请日
2016-08-18
公开(公告)号
JP2018533154A
公开(公告)日
2018-11-08
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
G11C11/22
IPC分类号
H01L27/11507 H10N97/00
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
強誘電体メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2005091301A1 ,2008-02-07
[2]
強誘電体メモリ構造体[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025155926A ,2025-10-14
[3]
強誘電体メモリデバイス消去[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025530168A ,2025-09-11
[4]
強誘電体酸化物メモリデバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2020505790A ,2020-02-20