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強誘電体メモリセルを動作させる方法および関連する強誘電体メモリセル[ja]
被引:0
申请号
:
JP20180506104
申请日
:
2016-08-18
公开(公告)号
:
JP2018533154A
公开(公告)日
:
2018-11-08
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G11C11/22
IPC分类号
:
H01L27/11507
H10N97/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
強誘電体メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005091301A1
,2008-02-07
[2]
強誘電体メモリ構造体[ja]
[P].
日本专利
:JP2025155926A
,2025-10-14
[3]
強誘電体メモリデバイス消去[ja]
[P].
日本专利
:JP2025530168A
,2025-09-11
[4]
強誘電体酸化物メモリデバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2020505790A
,2020-02-20
[5]
有極性、カイラル、非中心対称性強誘電体材料、その材料を含むメモリセルおよび関連するデバイスと方法。[ja]
[P].
日本专利
:JP6464401B2
,2019-02-06
[6]
有極性、カイラル、非中心対称性強誘電体材料、その材料を含むメモリセルおよび関連するデバイスと方法。[ja]
[P].
日本专利
:JP2017518639A
,2017-07-06
[7]
有極性、カイラル、非中心対称性強誘電体材料、その材料を含むメモリセルおよび関連するデバイスと方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6783290B2
,2020-11-11
[8]
メモリセルのストリングを含むメモリアレイ、及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024543564A
,2024-11-21
[9]
メモリセルのストリングを含むメモリアレイ及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023527517A
,2023-06-29
[10]
メモリセルのストリングを含むメモリアレイ、及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024531173A
,2024-08-29
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