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抵抗変化素子とその製造方法、及び抵抗変化素子を用いた半導体記憶装置[ja]
被引：0
申请号：
JP20090544535
申请日：
2007-12-06
公开(公告)号：
JPWO2009072201A1
公开(公告)日：
2011-04-21
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L27/10
IPC分类号：
H10N99/00
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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