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抵抗変化素子及び該抵抗変化素子を含む半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20090511713
申请日
:
2008-03-21
公开(公告)号
:
JPWO2008132899A1
公开(公告)日
:
2010-07-22
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L27/10
IPC分类号
:
H10N80/00
H10N99/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
抵抗変化素子の製造方法及び抵抗変化素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018193759A1
,2019-11-07
[2]
抵抗変化素子及び半導体記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012127735A1
,2014-07-24
[3]
抵抗変化素子とその製造方法、及び抵抗変化素子を用いた半導体記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009072201A1
,2011-04-21
[4]
抵抗変化素子および半導体記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009038032A1
,2011-01-06
[5]
抵抗変化型素子および抵抗変化型記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011007538A1
,2012-12-20
[6]
抵抗変化素子およびこれを備えた半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008149605A1
,2010-08-19
[7]
抵抗変化素子とそれを含む半導体装置及びこれらの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011115188A1
,2013-07-04
[8]
抵抗変化素子の製造法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009104789A1
,2011-06-23
[9]
抵抗変化素子、それを含む半導体装置およびそれらの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012153818A1
,2014-07-31
[10]
抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006013819A1
,2008-05-01
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