抵抗変化素子及び該抵抗変化素子を含む半導体装置[ja]

被引:0
申请号
JP20090511713
申请日
2008-03-21
公开(公告)号
JPWO2008132899A1
公开(公告)日
2010-07-22
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L27/10
IPC分类号
H10N80/00 H10N99/00
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
抵抗変化素子の製造方法及び抵抗変化素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018193759A1 ,2019-11-07
[2]
抵抗変化素子及び半導体記憶装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012127735A1 ,2014-07-24
[4]
抵抗変化素子および半導体記憶装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009038032A1 ,2011-01-06
[5]
抵抗変化型素子および抵抗変化型記憶装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011007538A1 ,2012-12-20
[6]
抵抗変化素子およびこれを備えた半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008149605A1 ,2010-08-19
[8]
抵抗変化素子の製造法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009104789A1 ,2011-06-23
[10]
抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006013819A1 ,2008-05-01