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抵抗変化素子、それを含む半導体装置およびそれらの製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20130514057
申请日
:
2012-05-10
公开(公告)号
:
JPWO2012153818A1
公开(公告)日
:
2014-07-31
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L27/105
IPC分类号
:
H10N99/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
抵抗変化素子とそれを含む半導体装置及びこれらの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011115188A1
,2013-07-04
[2]
電極構造、半導体素子、およびそれらの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007007634A1
,2009-01-29
[3]
電極構造、半導体素子、およびそれらの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008081566A1
,2010-04-30
[4]
抵抗変化素子およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012098879A1
,2014-06-09
[5]
抵抗変化素子およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010086916A1
,2012-07-26
[6]
酸化物半導体、その製造方法およびそれを含む半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2024539464A
,2024-10-28
[7]
酸化物半導体、その製造方法およびそれを含む半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP7755273B2
,2025-10-16
[8]
抵抗変化素子の製造方法およびその製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012169194A1
,2015-02-23
[9]
抵抗変化素子及び該抵抗変化素子を含む半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008132899A1
,2010-07-22
[10]
半導体素子およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6378383B1
,2018-08-22
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