抵抗変化素子、それを含む半導体装置およびそれらの製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20130514057
申请日
2012-05-10
公开(公告)号
JPWO2012153818A1
公开(公告)日
2014-07-31
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L27/105
IPC分类号
H10N99/00
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[2]
電極構造、半導体素子、およびそれらの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007007634A1 ,2009-01-29
[3]
電極構造、半導体素子、およびそれらの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008081566A1 ,2010-04-30
[4]
抵抗変化素子およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012098879A1 ,2014-06-09
[5]
抵抗変化素子およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010086916A1 ,2012-07-26
[8]
抵抗変化素子の製造方法およびその製造装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012169194A1 ,2015-02-23
[9]
[10]
半導体素子およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6378383B1 ,2018-08-22