酸化物半導体、その製造方法およびそれを含む半導体デバイス[ja]

被引：0

申请号：

JP20240529920

申请日：

2022-11-25

公开(公告)号：

JP7755273B2

公开(公告)日：

2025-10-16

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/368

IPC分类号：

H01L21/363 H10D30/01 H10D30/67 H10D86/60

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共 50 条

[1]

酸化物半導体、その製造方法およびそれを含む半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2024539464A ,2024-10-28

[2]

半導体デバイスおよびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018109970A1 ,2019-10-24

[3]

酸化物半導体膜および半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP6551414B2 ,2019-07-31

[4]

酸化物半導体膜および半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016121152A1 ,2017-09-28

[5]

半導体デバイスおよびその作製方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007138693A1 ,2009-10-01

[6]

酸化物半導体素子、酸化物半導体素子の製造方法、酸化物半導体素子を含む表示装置、及び酸化物半導体素子を含む表示装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5905692B2 ,2016-04-20

[7]

酸化物半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012056933A1 ,2014-03-20

[8]

半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス[ja] [P].

DAVID LYSACEK ;

JAN HYBL ;

DUSAN POSTULKA ;

JURAJ JARINA ;

VIT JANIREK ;

ALEXANDRA SENKOVA .

日本专利 :JP2024031904A ,2024-03-07

[9]

酸化物半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011065329A1 ,2013-04-11

[10]

酸化物半導体およびその製法[ja] [P].

日本专利 :JP6252904B2 ,2017-12-27

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