抵抗変化素子およびこれを備えた半導体装置[ja]

被引：0

申请号：

JP20090517744

申请日：

2008-04-16

公开(公告)号：

JPWO2008149605A1

公开(公告)日：

2010-08-19

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L27/10

IPC分类号：

H10N99/00

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法律状态信息

共 50 条

[1]

抵抗変化素子および半導体記憶装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009038032A1 ,2011-01-06

[2]

抵抗変化素子及び該抵抗変化素子を含む半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008132899A1 ,2010-07-22

[3]

抵抗変化素子及び半導体記憶装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012127735A1 ,2014-07-24

[4]

抵抗変化素子、それを含む半導体装置およびそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012153818A1 ,2014-07-31

[5]

抵抗変化素子とそれを含む半導体装置及びこれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011115188A1 ,2013-07-04

[6]

抵抗変化素子とその製造方法、及び抵抗変化素子を用いた半導体記憶装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009072201A1 ,2011-04-21

[7]

抵抗変化型素子および抵抗変化型記憶装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011007538A1 ,2012-12-20

[8]

半導体材料、および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019102314A1 ,2020-11-26

[9]

半導体接合素子およびそれを用いた半導体デバイス、並びに半導体接合素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012039265A1 ,2014-02-03

[10]

半導体電橋装置および半導体電橋装置を備える点火具[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006038703A1 ,2008-05-15

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