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酸化物半導体膜、トランジスタ、及び半導体装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20130048733
申请日
:
2013-03-12
公开(公告)号
:
JP6305683B2
公开(公告)日
:
2018-04-04
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/786
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
トランジスタ及び酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP7130085B2
,2022-09-02
[2]
酸化物半導体膜及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5946624B2
,2016-07-06
[3]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6110917B2
,2017-04-05
[4]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6050020B2
,2016-12-21
[5]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6207018B2
,2017-10-04
[6]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6043387B2
,2016-12-14
[7]
酸化物半導体膜、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5716070B2
,2015-05-13
[8]
酸化物半導体膜及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6033907B2
,2016-11-30
[9]
酸化物半導体膜及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6220470B2
,2017-10-25
[10]
酸化物半導体膜及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7409790B2
,2024-01-09
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