金属酸化物含有半導体層の製造方法及び電子デバイス[ja]

被引：0

申请号：

JP20140518729

申请日：

2013-05-30

公开(公告)号：

JPWO2013180230A1

公开(公告)日：

2016-01-21

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/368

IPC分类号：

C09D1/00 H01L21/336 H01L29/786 H01L51/46

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日

法律状态

法律状态信息

共 50 条

[1]

金属酸化物含有半導体層の製造方法及び電子デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP6131949B2 ,2017-05-24

[2]

酸化物の前駆体、酸化物層、半導体素子、及び電子デバイス、並びに酸化物層の製造方法及び半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016098423A1 ,2017-09-21

[3]

酸化物の前駆体、酸化物層、半導体素子、及び電子デバイス、並びに酸化物層の製造方法及び半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6481865B2 ,2019-03-13

[4]

酸化物半導体層及びその製造方法、並びに酸化物半導体の前駆体、酸化物半導体層、半導体素子、及び電子デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP5749411B1 ,2015-07-15

[5]

酸化物半導体層及びその製造方法、並びに酸化物半導体の前駆体、酸化物半導体層、半導体素子、及び電子デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015019771A1 ,2017-03-02

[6]

半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス[ja] [P].

DAVID LYSACEK ;

JAN HYBL ;

DUSAN POSTULKA ;

JURAJ JARINA ;

VIT JANIREK ;

ALEXANDRA SENKOVA .

日本专利 :JP2024031904A ,2024-03-07

[7]

酸化物層及びその製造方法、並びに半導体素子及びその製造方法、並びに電子デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP6441060B2 ,2018-12-19

[8]

デバイス基板及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018519655A ,2018-07-19

[9]

金属酸化物導電層の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6593604B2 ,2019-10-23

[10]

横方向拡散金属酸化物半導体デバイス及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7462732B2 ,2024-04-05

← 1 2 3 4 5 →