酸化物半導体層及びその製造方法、並びに酸化物半導体の前駆体、酸化物半導体層、半導体素子、及び電子デバイス[ja]

被引：0

申请号：

JP20140554108

申请日：

2014-07-04

公开(公告)号：

JP5749411B1

公开(公告)日：

2015-07-15

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/368

IPC分类号：

C08G64/34 H01L21/336 H01L29/786

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共 50 条

[1]

酸化物半導体層及びその製造方法、並びに酸化物半導体の前駆体、酸化物半導体層、半導体素子、及び電子デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015019771A1 ,2017-03-02

[2]

酸化物の前駆体、酸化物層、半導体素子、及び電子デバイス、並びに酸化物層の製造方法及び半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016098423A1 ,2017-09-21

[3]

酸化物の前駆体、酸化物層、半導体素子、及び電子デバイス、並びに酸化物層の製造方法及び半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6481865B2 ,2019-03-13

[4]

酸化物半導体層、酸化物半導体層の作製方法、半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025010084A ,2025-01-20

[5]

酸化物半導体素子及び酸化物半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7173070B2 ,2022-11-16

[6]

酸化物半導体膜、積層体及び酸化物半導体膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7105703B2 ,2022-07-25

[7]

酸化物半導体層、半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja] [P].

YAMAZAKI SHUNPEI ;

ISAKA FUMITO ;

SATO YUICHI ;

ONO TOSHIKAZU ;

KUNITAKE HITOSHI ;

MURAKAWA TSUTOMU .

日本专利 :JP2025010009A ,2025-01-20

[8]

酸化物半導体層、半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP6246254B2 ,2017-12-13

[9]

酸化物半導体及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018155033A1 ,2019-12-19

[10]

酸化物半導体及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP6495808B2 ,2019-04-03

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