半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja]

被引：0

申请号：

JP20210069678

申请日：

2021-04-16

公开(公告)号：

JP2022164282A

公开(公告)日：

2022-10-27

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/52

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日

法律状态

法律状态信息

共 50 条

[1]

半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019244482A1 ,2021-01-07

[2]

半導体素子の製造方法及び半導体素子の製造システム[ja] [P].

日本专利 :JPWO2021019855A1 ,2021-12-02

[3]

半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

URAJI TSUYOSHI ;

NAKAJIMA YASUSHI .

日本专利 :JP2024165654A ,2024-11-28

[4]

半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024500117A ,2024-01-04

[5]

窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014148255A1 ,2017-02-16

[6]

半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019065208A1 ,2020-11-12

[7]

半導体装置[ja] [P].

KIKUCHI TAKUYA ;

MIZUKOSHI MASANORI ;

SHIMOMORI AKIRA .

日本专利 :JP2024005738A ,2024-01-17

[8]

半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010109572A1 ,2012-09-20

[9]

半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005024941A1 ,2006-11-16

[10]

半導体装置[ja] [P].

ASABA SHUNSUKE ;

KONO HIROSHI .

日本专利 :JP2024137536A ,2024-10-07

← 1 2 3 4 5 →