ワイドギャップＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体ドレインを有するＳｉ－ＭＯＳＦＥＴ、及びその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20200188266

申请日：

2020-11-11

公开(公告)号：

JP7019218B2

公开(公告)日：

2022-02-15

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/786

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共 50 条

[1]

ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体発光素子及びＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体発光素子の製造方法[ja] [P].

KOJIKA YUTA ;

KADOWAKI YOSHITAKA .

日本专利 :JP2024035143A ,2024-03-13

[2]

ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体発光素子及びＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体発光素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7413599B1 ,2024-01-15

[3]

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5678874B2 ,2015-03-04

[4]

ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を生成する微生物[ja] [P].

日本专利 :JP7095871B2 ,2022-07-05

[5]

ＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6509455B1 ,2019-05-08

[6]

ＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019224966A1 ,2020-05-28

[7]

ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体単結晶基板およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7609305B2 ,2025-01-07

[8]

ＩＩＩ－Ｖ族化合物結晶の製造方法および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7117690B2 ,2022-08-15

[9]

ウレイド基を有する化合物の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5753380B2 ,2015-07-22

[10]

ウレイド基を有する化合物の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6438658B2 ,2018-12-19

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