ＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体装置の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20180549994

申请日：

2018-05-24

公开(公告)号：

JPWO2019224966A1

公开(公告)日：

2020-05-28

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/223

IPC分类号：

H01L21/22 H01S5/343

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共 50 条

[1]

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5678874B2 ,2015-03-04

[2]

ＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6509455B1 ,2019-05-08

[3]

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法、光半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5620308B2 ,2014-11-05

[4]

ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体発光素子及びＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体発光素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7413599B1 ,2024-01-15

[5]

ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体発光素子及びＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体発光素子の製造方法[ja] [P].

KOJIKA YUTA ;

KADOWAKI YOSHITAKA .

日本专利 :JP2024035143A ,2024-03-13

[6]

ＩＩＩ族化合物半導体結晶の製造装置[ja] [P].

日本专利 :JP7738414B2 ,2025-09-12

[7]

ＩＩＩ族化合物半導体結晶の製造装置[ja] [P].

日本专利 :JP2025170049A ,2025-11-14

[8]

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体受光素子[ja] [P].

日本专利 :JP5659864B2 ,2015-01-28

[9]

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体受光素子[ja] [P].

日本专利 :JP5983716B2 ,2016-09-06

[10]

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜の製造方法および化合物半導体太陽電池の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5634955B2 ,2014-12-03

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