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III族化合物半導体結晶の製造装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20210102689
申请日
:
2021-06-21
公开(公告)号
:
JP7738414B2
公开(公告)日
:
2025-09-12
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/205
IPC分类号
:
C23C16/455
C30B25/02
C30B29/38
H01L21/365
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
III族化合物半導体結晶の製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2025170049A
,2025-11-14
[2]
III−V族化合物半導体結晶の製造方法、光半導体素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5620308B2
,2014-11-05
[3]
III−V族化合物半導体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5678874B2
,2015-03-04
[4]
III—V族化合物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019224966A1
,2020-05-28
[5]
III—V族化合物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6509455B1
,2019-05-08
[6]
III族窒化物系化合物半導体結晶板製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6719754B2
,2020-07-08
[7]
化合物半導体結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6207014B2
,2017-10-04
[8]
III-V族化合物結晶の製造方法および半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7117690B2
,2022-08-15
[9]
化合物半導体多結晶、化合物半導体単結晶の製造方法、ならびに化合物半導体多結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6628668B2
,2020-01-15
[10]
化合物半導体および化合物半導体単結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018179567A1
,2020-02-13
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