III族化合物半導体結晶の製造装置[ja]

被引:0
申请号
JP20210102689
申请日
2021-06-21
公开(公告)号
JP7738414B2
公开(公告)日
2025-09-12
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/205
IPC分类号
C23C16/455 C30B25/02 C30B29/38 H01L21/365
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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