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III−V族化合物半導体膜の製造方法および化合物半導体太陽電池の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20110151810
申请日
:
2011-07-08
公开(公告)号
:
JP5634955B2
公开(公告)日
:
2014-12-03
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L31/0693
IPC分类号
:
H01L21/205
H01L31/0735
H01L31/18
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
III−V族化合物半導体太陽電池、III−V族化合物半導体太陽電池の製造方法、および人工衛星[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017119235A1
,2018-11-08
[2]
III−V族化合物半導体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5678874B2
,2015-03-04
[3]
化合物半導体太陽電池および化合物半導体太陽電池の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5980826B2
,2016-08-31
[4]
化合物半導体太陽電池、及び、化合物半導体太陽電池の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6446782B2
,2019-01-09
[5]
化合物半導体太陽電池、及び、化合物半導体太陽電池の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6582591B2
,2019-10-02
[6]
III—V族化合物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019224966A1
,2020-05-28
[7]
III—V族化合物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6509455B1
,2019-05-08
[8]
化合物半導体太陽電池の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015147106A1
,2017-04-13
[9]
化合物半導体太陽電池の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6657073B2
,2020-03-04
[10]
化合物半導体太陽電池の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5851872B2
,2016-02-03
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