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フッ素ガス製造装置[ja]

被引：0
申请号：
JP20200553084
申请日：
2019-10-07
公开(公告)号：
JPWO2020085066A1
公开(公告)日：
2021-09-16
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
C25B9/00
IPC分类号：
C25B1/245 C25B9/63 C25B9/65 C25B13/02
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
フッ素又は三フッ化窒素を製造するための電解装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007083740A1 ,2009-06-11
[2]
水素製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020105369A1 ,2021-09-27
[3]
水素の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020095664A1 ,2021-09-02
[4]
原料ガスから炭素材料を製造する方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7504515B1 ,2024-06-24
[5]
原料ガスから炭素材料を製造する方法[ja] [P]. 
EINAR KARU ;
GARY URB .
日本专利 :JP2025100256A ,2025-07-03
[6]
銅箔製造装置[ja] [P]. 
KO SU JEONG ;
KIM HYE WON ;
KIM DONG WOO .
日本专利 :JP2023184425A ,2023-12-28
[7]
銅箔製造装置[ja] [P]. 
KO SU JEONG ;
KIM HYE WON ;
KIM DONG WOO .
日本专利 :JP2023184423A ,2023-12-28
[8]
フライバックスイッチング電源[ja] [P]. 
日本专利 :JP2020510391A ,2020-04-02
[9]
水素と酸素からなる液状物、これから得られる水素と酸素からなる再気化ガス、これらの製造方法及び装置、並びにこれら液状物及び再気化ガスからなる炭酸ガスを発生しない燃料[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010023997A1 ,2012-01-26
[10]
炭化珪素半導体装置の製造方法および通電検査装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2014148294A1 ,2017-02-16
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