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圧電素子の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20110525862
申请日
:
2010-07-29
公开(公告)号
:
JPWO2011016381A1
公开(公告)日
:
2013-01-10
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/3065
IPC分类号
:
H10N30/00
H10N30/01
H10N30/082
H10N30/093
H10N30/20
H10N30/85
H10N30/853
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
電解質、蓄電素子、及び電解質の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022074946A
,2022-05-18
[2]
薄膜光電変換素子と薄膜光電変換素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010067398A1
,2012-05-17
[3]
圧電振動子及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006104265A1
,2008-09-11
[4]
電気化学素子用集電体及び電極の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2019502240A
,2019-01-24
[5]
電子源の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2021512470A
,2021-05-13
[6]
メモリ素子の製造装置及び製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012070551A1
,2014-05-19
[7]
金属薄膜の製造方法及び導電構造の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5924609B2
,2016-05-25
[8]
金属薄膜の製造方法及び導電構造の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015083307A1
,2017-03-16
[9]
太陽電池の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017158691A1
,2018-06-28
[10]
太陽電池の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010044269A1
,2012-03-15
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