イオン注入システムにおける抽出電極アッセンブリの電圧変調[ja]

被引：0

申请号：

JP20160512969

申请日：

2014-05-02

公开(公告)号：

JP2016524277A

公开(公告)日：

2016-08-12

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01J37/317

IPC分类号：

H01J27/02 H01J37/08 H01L21/265

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共 44 条

[1]

イオン注入用の複合静電レンズシステム[ja] [P].

日本专利 :JP2018507506A ,2018-03-15

[2]

シャッターアセンブリを有するイオン源[ja] [P].

日本专利 :JP2016500901A ,2016-01-14

[3]

イオン注入における注入に誘導される損傷制御[ja] [P].

日本专利 :JP2015533012A ,2015-11-16

[4]

リチウムイオン二次電池パック用梱包材、リチウムイオン二次電池パック梱包物およびリチウムイオン二次電池パック梱包物の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025127758A ,2025-09-02

[5]

ワイヤーボンディングおよびその他の電子部品パッケージング装置のためのインテリジェントパターン認識システムおよびそれに関連する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024505159A ,2024-02-05

[6]

可変エネルギー制御を伴うイオン注入システムおよび方法[ja] [P].

日本专利 :JP2017510023A ,2017-04-06

[7]

走査されたビームイオン注入におけるビームの利用を向上させるための方法[ja] [P].

日本专利 :JP2017510025A ,2017-04-06

[8]

被加工物を電解処理するための電極ならびに装置、装置のセルを形成するためのアセンブリ、方法、およびコンピュータプログラム[ja] [P].

日本专利 :JP7747642B2 ,2025-10-01

[9]

被加工物を電解処理するための電極ならびに装置、装置のセルを形成するためのアセンブリ、方法、およびコンピュータプログラム[ja] [P].

日本专利 :JP2023512815A ,2023-03-29

[10]

回転機械加工デバイスと共に使用するための軸受アセンブリ[ja] [P].

日本专利 :JP2016532832A ,2016-10-20

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