メモリ用途のための金属酸化物材料の原子層堆積[ja]

被引：0

申请号：

JP20140528455

申请日：

2012-08-22

公开(公告)号：

JP2014531749A

公开(公告)日：

2014-11-27

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L27/105

IPC分类号：

H10N80/00 C23C16/30 C23C16/40 C23C16/455 H01L21/316 H10N99/00

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共 50 条

[1]

薄膜トランジスタのための原子層堆積による金属酸化物層の組成制御[ja] [P].

日本专利 :JP2016511936A ,2016-04-21

[2]

薄膜トランジスタのための原子層堆積による金属酸化物層の組成制御[ja] [P].

日本专利 :JP6316850B2 ,2018-04-25

[3]

流体吐出デバイスの原子層堆積酸化物層[ja] [P].

日本专利 :JP2019532842A ,2019-11-14

[4]

酸化物薄膜の堆積[ja] [P].

日本专利 :JP7300032B2 ,2023-06-28

[5]

酸化物薄膜の堆積[ja] [P].

日本专利 :JP2022088516A ,2022-06-14

[6]

酸化物薄膜の堆積[ja] [P].

日本专利 :JP7050468B2 ,2022-04-08

[7]

流体吐出デバイスの原子層堆積酸化物層[ja] [P].

CHEN ZHIZHANG ;

ROBERT A PUGLIESE ;

MOHAMMED S SHAARAWI .

日本专利 :JP2022010071A ,2022-01-14

[8]

担体酸化物上の金属の堆積方法[ja] [P].

日本专利 :JP6005151B2 ,2016-10-12

[9]

金属酸化物の低温ＡＬＤのための方法[ja] [P].

日本专利 :JP7090174B2 ,2022-06-23

[10]

金属酸化物の低温ＡＬＤのための方法[ja] [P].

日本专利 :JP2021519521A ,2021-08-10

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