流体吐出デバイスの原子層堆積酸化物層[ja]

被引：0

申请号：

JP20210180868

申请日：

2021-11-05

公开(公告)号：

JP2022010071A

公开(公告)日：

2022-01-14

发明(设计)人：

CHEN ZHIZHANG ROBERT A PUGLIESE MOHAMMED S SHAARAWI

申请人：

HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO

申请人地址：

IPC主分类号：

B41J2/16

IPC分类号：

B41J2/14

代理机构：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

流体吐出デバイスの原子層堆積酸化物層[ja] [P].

日本专利 :JP2019532842A ,2019-11-14

[2]

原子層堆積方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025525777A ,2025-08-07

[3]

ｐ型酸化物半導体薄膜の原子層堆積[ja] [P].

日本专利 :JP2018509748A ,2018-04-05

[4]

ｐ型酸化物半導体薄膜の原子層堆積[ja] [P].

日本专利 :JP6294573B1 ,2018-03-14

[5]

金属酸化物含有層を含むデバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2020522448A ,2020-07-30

[6]

金属酸化物含有層を含むデバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2020522095A ,2020-07-27

[7]

原子層堆積中の損失防止[ja] [P].

日本专利 :JP2023521755A ,2023-05-25

[8]

メモリ用途のための金属酸化物材料の原子層堆積[ja] [P].

日本专利 :JP2014531749A ,2014-11-27

[9]

電気化学的触媒の原子層堆積[ja] [P].

FRIEDRICH B PRINZ ;

THOMAS FRANCISCO JARAMILLO ;

TANJA GRAF ;

THOMAS SCHLADT ;

GEROLD HUEBNER ;

XU SHICHENG ;

KIM YONGMIN ;

MAHA YUSUF ;

DREW CHRISTOPHER HIGGINS .

日本专利 :JP2022031352A ,2022-02-18

[10]

選択的原子層堆積方法[ja] [P].

BHASKAR JYOTI BHUYAN ;

MARK SALY ;

DAVID THOMPSON ;

TOBIN KAUFMAN-OSBORN ;

KURT FREDRICKSON ;

THOMAS KNISLEY ;

WU LIQI .

日本专利 :JP2022091739A ,2022-06-21

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