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多結晶半導体材料の結晶構造を解析するための方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20150524769
申请日
:
2013-07-30
公开(公告)号
:
JP6282273B2
公开(公告)日
:
2018-02-21
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G01N21/63
IPC分类号
:
G01N21/00
G01N21/66
G01N21/71
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
多結晶半導体材料の結晶構造を解析するための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2015524565A
,2015-08-24
[2]
半導体結晶の製造方法、半導体結晶の製造装置および半導体結晶[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011010724A1
,2013-01-07
[3]
単結晶半導体材料の生成[ja]
[P].
日本专利
:JP5886831B2
,2016-03-16
[4]
結晶性有機半導体材料の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2017528447A
,2017-09-28
[5]
結晶性有機半導体材料の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6873034B2
,2021-05-19
[6]
半導体材料の結晶を作製するための装置およびプロセス[ja]
[P].
日本专利
:JP6022000B2
,2016-11-09
[7]
半導体材料の単結晶を引き上げるための装置および方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7439250B2
,2024-02-27
[8]
半導体材料の単結晶を引き上げるための装置および方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022551171A
,2022-12-07
[9]
ナノ結晶コア及びナノ結晶シェルを有する半導体構造[ja]
[P].
日本专利
:JP2014534322A
,2014-12-18
[10]
多結晶半導体のエッチング[ja]
[P].
日本专利
:JP2025507015A
,2025-03-13
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