半導体結晶の製造方法、半導体結晶の製造装置および半導体結晶[ja]

被引：0

申请号：

JP20110523709

申请日：

2010-07-23

公开(公告)号：

JPWO2011010724A1

公开(公告)日：

2013-01-07

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C30B11/04

IPC分类号：

C30B29/44

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共 50 条

[1]

微結晶半導体薄膜製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012086242A1 ,2014-05-22

[2]

結晶性有機半導体材料の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2017528447A ,2017-09-28

[3]

結晶性有機半導体材料の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6873034B2 ,2021-05-19

[4]

単結晶半導体材料の生成[ja] [P].

日本专利 :JP5886831B2 ,2016-03-16

[5]

ナノ結晶半導体材料及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5750727B2 ,2015-07-22

[6]

半導体装置、および半導体装置の製造方法[ja] [P].

HARADA YUSUKE .

日本专利 :JP2024103169A ,2024-08-01

[7]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

MIYATA YUSUKE ;

HARAGUCHI TOMOKI ;

MINAMITAKE HARUHIKO ;

HOSHI TAIKI ;

AKAO MASAYA ;

KOKETSU HIDENORI .

日本专利 :JP2025126502A ,2025-08-29

[8]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7378693B1 ,2023-11-13

[9]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005013374A1 ,2006-09-28

[10]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016139794A1 ,2017-12-21

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