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炭化珪素質多孔体及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20080510743
申请日
:
2007-02-15
公开(公告)号
:
JPWO2007119287A1
公开(公告)日
:
2009-08-27
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C04B38/00
IPC分类号
:
B01D39/20
B01J35/04
C04B35/565
F01N3/02
F01N3/28
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
炭化珪素質多孔体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007097161A1
,2009-07-09
[2]
多孔質体及びその製造方法[ja]
[P].
TAKESHITA SATORU
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
AIST
AIST
TAKESHITA SATORU
;
ONO TAKUMI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
AIST
AIST
ONO TAKUMI
.
日本专利
:JP2024089491A
,2024-07-03
[3]
多孔質体及びその製造方法[ja]
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
MATSUMOTO TAKUYA
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
OKADA MASAHIRO
;
HARA EMILIO SATOSHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
OKAYAMA UNIV
OKAYAMA UNIV
HARA EMILIO SATOSHI
.
日本专利
:JP2024054665A
,2024-04-17
[4]
炭化珪素半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
HATA KENSUKE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DENSO CORP
DENSO CORP
HATA KENSUKE
.
日本专利
:JP2025018676A
,2025-02-06
[5]
炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015005064A1
,2017-03-02
[6]
炭化珪素半導体素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009019837A1
,2010-10-28
[7]
炭化珪素半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012098759A1
,2014-06-09
[8]
軽質炭化水素合成触媒構造体、軽質炭化水素製造装置及び軽質炭化水素の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020027321A1
,2021-08-19
[9]
多孔質物品及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014132915A1
,2017-02-02
[10]
多孔質体および多孔質体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020179642A1
,2021-06-10
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