窒化物半導体素子の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20110535806

申请日：

2010-10-18

公开(公告)号：

JPWO2011058697A1

公开(公告)日：

2013-03-28

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L33/32

IPC分类号：

H01L21/205 H01S5/343

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共 50 条

[1]

窒化物系化合物半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5768353B2 ,2015-08-26

[2]

半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010116424A1 ,2012-10-11

[3]

半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011070760A1 ,2013-04-22

[4]

窒化物系化合物半導体素子およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5667136B2 ,2015-02-12

[5]

窒化物系化合物半導体素子を製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016530700A ,2016-09-29

[6]

窒化物系化合物半導体素子を製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP6138359B2 ,2017-05-31

[7]

半導体素子の製造方法[ja] [P].

KAMIKAWA TAKESHI ;

KAWAGUCHI YOSHINOBU ;

MURAKAWA KENTARO .

日本专利 :JP2025090672A ,2025-06-17

[8]

半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008139621A1 ,2010-07-29

[9]

窒化物系化合物半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JP5656930B2 ,2015-01-21

[10]

半導体素子の製造方法及び半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JP7659708B1 ,2025-04-09

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