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窒化物系化合物半導体素子を製造する方法[ja]
被引：0
申请号：
JP20160518909
申请日：
2014-05-28
公开(公告)号：
JP6138359B2
公开(公告)日：
2017-05-31
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/205
IPC分类号：
C30B29/38
H01L21/20
H01L33/12
H01L33/32
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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