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ＩＩＩ族窒化物系化合物層を有する半導体基板の製造方法[ja]
被引：0
申请号：
JP20220062600
申请日：
2022-04-04
公开(公告)号：
JP2022095804A
公开(公告)日：
2022-06-28
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
G03F7/11
IPC分类号：
H01L21/302
H01L21/3065
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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