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半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの両面研磨装置[ja]

被引：0
申请号：
JP20190045717
申请日：
2019-03-13
公开(公告)号：
JP6683277B1
公开(公告)日：
2020-04-15
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/304
IPC分类号：
B24B37/00 B24B37/08 B24B49/12
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7464088B2 ,2024-04-09
[2]
半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置[ja] [P]. 
KURAMOTO RYO ;
MIYAZAKI YUJI ;
GOTO TAIKI .
日本专利 :JP2024034423A ,2024-03-13
[3]
半導体ウェーハの厚み分布測定システムおよび半導体ウェーハ研磨システム、半導体ウェーハの厚み分布測定方法および半導体ウェーハの厚み取り代分布測定方法、ならびに半導体ウェーハの研磨方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6465015B2 ,2019-02-06
[4]
半導体ウェハーの研磨装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP7099757B1 ,2022-07-12
[5]
半導体ウェハの温度測定方法[ja] [P]. 
OKADA SHUNSUKE ;
NISHIO YOSHIFUMI .
日本专利 :JP2024180109A ,2024-12-26
[6]
半導体ウエハの厚み測定方法及び半導体ウエハ加工装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP5890767B2 ,2016-03-22
[7]
半導体ウェーハの比抵抗値測定方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5684449B2 ,2015-03-11
[8]
半導体ウェーハの測定方法、その製造工程の管理方法、及び半導体ウェーハの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006018961A1 ,2008-05-08
[9]
研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法および半導体ウェーハの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7192761B2 ,2022-12-20
[10]
半導体ウェーハの枚葉式片面研磨方法および半導体ウェーハの枚葉式片面研磨装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6421640B2 ,2018-11-14
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