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半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220138647
申请日
:
2022-08-31
公开(公告)号
:
JP2024034423A
公开(公告)日
:
2024-03-13
发明(设计)人
:
KURAMOTO RYO
MIYAZAKI YUJI
GOTO TAIKI
申请人
:
SUMCO CORP
申请人地址
:
IPC主分类号
:
B24B37/08
IPC分类号
:
H01L21/304
B24B37/28
B24B55/06
B24B57/02
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7464088B2
,2024-04-09
[2]
半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの両面研磨装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6683277B1
,2020-04-15
[3]
半導体ウェハーの研磨装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7099757B1
,2022-07-12
[4]
ウェーハの両面研磨装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5935926B1
,2016-06-15
[5]
両面研磨装置、半導体シリコンウェーハの両面研磨方法及び両面研磨シリコンウェーハの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7435634B2
,2024-02-21
[6]
ウェハーの研磨装置及びウェハーの研磨方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2015500151A
,2015-01-05
[7]
ウェーハの研磨方法及びウェーハの研磨装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6083346B2
,2017-02-22
[8]
研磨装置、ウェーハの研磨方法、及び、ウェーハの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6947135B2
,2021-10-13
[9]
ウェーハの片面研磨方法、ウェーハの製造方法、およびウェーハの片面研磨装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7757902B2
,2025-10-22
[10]
ウェーハの片面研磨方法、ウェーハの製造方法、およびウェーハの片面研磨装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7757903B2
,2025-10-22
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