両面研磨装置、半導体シリコンウェーハの両面研磨方法及び両面研磨シリコンウェーハの製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20220001288

申请日：

2022-01-06

公开(公告)号：

JP7435634B2

公开(公告)日：

2024-02-21

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/304

IPC分类号：

B24B37/24 B24B37/28

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共 50 条

[1]

シリコンウェーハの両面研磨方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019043895A1 ,2020-03-26

[2]

半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置[ja] [P].

日本专利 :JP7464088B2 ,2024-04-09

[3]

半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置[ja] [P].

KURAMOTO RYO ;

MIYAZAKI YUJI ;

GOTO TAIKI .

日本专利 :JP2024034423A ,2024-03-13

[4]

ウェーハの両面研磨装置[ja] [P].

日本专利 :JP5935926B1 ,2016-06-15

[5]

ウェーハの両面研磨装置および両面研磨方法[ja] [P].

日本专利 :JP6743746B2 ,2020-08-19

[6]

研磨パッド、両面研磨装置及びウェーハの両面研磨方法[ja] [P].

日本专利 :JP7415888B2 ,2024-01-17

[7]

両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法[ja] [P].

日本专利 :JP5807648B2 ,2015-11-10

[8]

両面研磨装置用キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法[ja] [P].

日本专利 :JP7276246B2 ,2023-05-18

[9]

両面研磨装置用のキャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法[ja] [P].

日本专利 :JP6863309B2 ,2021-04-21

[10]

シリコンウェーハの研磨方法及び研磨装置[ja] [P].

日本专利 :JP5716612B2 ,2015-05-13

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