半導体発光素子[ja]

被引：0

申请号：

JP20070512434

申请日：

2006-03-17

公开(公告)号：

JPWO2006109418A1

公开(公告)日：

2008-10-09

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01S5/343

IPC分类号：

H01L33/06 H01L33/32

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共 50 条

[1]

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015029281A1 ,2017-03-02

[2]

半導体発光素子及び半導体発光素子組立体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016147512A1 ,2017-12-28

[3]

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7387048B1 ,2023-11-27

[4]

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6679767B1 ,2020-04-15

[5]

半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018020793A1 ,2019-05-09

[6]

半導体光素子[ja] [P].

OKIMOTO TAKUYA ;

YONEDA MASAHIRO .

日本专利 :JP2024000706A ,2024-01-09

[7]

半導体光素子[ja] [P].

FUJIWARA NAOKI ;

KATO TAKASHI ;

TAKADA KENJI ;

AOKI TAKESHI ;

YOSHIMOTO SUSUMU ;

ITO TOMOKI .

日本专利 :JP2025059182A ,2025-04-10

[8]

光半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JP2025133308A ,2025-09-11

[9]

半導体光素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018212195A1 ,2019-11-07

[10]

化合物半導体発光素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2003044872A1 ,2005-03-24

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