半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法[ja]

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申请号
JP20150533935
申请日
2014-04-23
公开(公告)号
JPWO2015029281A1
公开(公告)日
2017-03-02
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L33/40
IPC分类号
H01L33/32
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
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[2]
[3]
半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018020793A1 ,2019-05-09
[4]
半導体発光素子及び半導体発光素子組立体[ja] [P]. 
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[5]
半導体発光素子[ja] [P]. 
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[6]
半導体発光素子の製造方法[ja] [P]. 
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[7]
半導体発光素子及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007015330A1 ,2009-02-19
[8]
半導体発光素子及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009020033A1 ,2010-11-04
[10]
半導体光素子、および半導体光素子の製造方法[ja] [P]. 
TANAKA HAJIME .
日本专利 :JP2025036957A ,2025-03-17