半導体光素子、および半導体光素子の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20230143640

申请日：

2023-09-05

公开(公告)号：

JP2025036957A

公开(公告)日：

2025-03-17

发明(设计)人：

TANAKA HAJIME

申请人：

SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES

申请人地址：

IPC主分类号：

G02F1/025

IPC分类号：

G02B6/12

代理机构：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

半導体光素子、および半導体光素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025150252A ,2025-10-09

[2]

半導体光素子、および半導体光素子の製造方法[ja] [P].

HIRATANI TAKUO ;

KIKUCHI TAKEHIKO ;

INOUE NAOKO .

日本专利 :JP2025121155A ,2025-08-19

[3]

半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018020793A1 ,2019-05-09

[4]

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7387048B1 ,2023-11-27

[5]

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015029281A1 ,2017-03-02

[6]

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6679767B1 ,2020-04-15

[7]

光半導体素子の製造方法[ja] [P].

KANEMOTO MASAKO ;

NAKANO MASAYUKI .

日本专利 :JP2024043425A ,2024-03-29

[8]

半導体光素子の製造方法[ja] [P].

KIKUCHI TAKEHIKO ;

NISHIYAMA NOBUHIKO .

日本专利 :JP2024081366A ,2024-06-18

[9]

半導体素子の製造方法及び半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JP7659708B1 ,2025-04-09

[10]

光半導体素子およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2002059982A1 ,2004-05-27

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