スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20140557400

申请日：

2014-01-15

公开(公告)号：

JP6141332B2

公开(公告)日：

2017-06-07

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C23C14/34

IPC分类号：

C04B35/00 C04B35/453 C23C14/08 H01L21/336 H01L21/363 H01L29/786

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共 50 条

[1]

スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6059513B2 ,2017-01-11

[2]

スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014112368A1 ,2017-01-19

[3]

スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6353369B2 ,2018-07-04

[4]

スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014112363A1 ,2017-01-19

[5]

スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5965338B2 ,2016-08-03

[6]

スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5762204B2 ,2015-08-12

[7]

スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6284710B2 ,2018-02-28

[8]

酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7425933B1 ,2024-01-31

[9]

酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7493688B1 ,2024-05-31

[10]

スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びこれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014112369A1 ,2017-01-19

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