酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20230568635

申请日：

2023-06-29

公开(公告)号：

JP7493688B1

公开(公告)日：

2024-05-31

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C23C14/34

IPC分类号：

C04B35/01 C04B35/453 C23C14/08 H01L21/336 H01L21/363 H01L29/786

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

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共 50 条

[1]

酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7425933B1 ,2024-01-31

[2]

酸化物半導体層、酸化物半導体層形成用スパッタリングターゲット、および薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP7070130B2 ,2022-05-18

[3]

酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット及びその製造方法[ja] [P].

WAKAI MASAFUMI ;

HANNA TAKU ;

HAYASAKA RYOICHIRO ;

MATSUMOTO KOICHI .

日本专利 :JP2025096078A ,2025-06-26

[4]

酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7493666B1 ,2024-05-31

[5]

酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及びスパッタリングターゲット[ja] [P].

日本专利 :JP7384777B2 ,2023-11-21

[6]

スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6059513B2 ,2017-01-11

[7]

スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014112368A1 ,2017-01-19

[8]

スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6353369B2 ,2018-07-04

[9]

スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014112363A1 ,2017-01-19

[10]

スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6141332B2 ,2017-06-07

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