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酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]

被引：0
申请号：
JP20230212575
申请日：
2023-12-15
公开(公告)号：
JP7493666B1
公开(公告)日：
2024-05-31
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L29/786
IPC分类号：
C23C14/08 C23C14/34 H01L21/336
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット及びその製造方法[ja] [P]. 
WAKAI MASAFUMI ;
HANNA TAKU ;
HAYASAKA RYOICHIRO ;
MATSUMOTO KOICHI .
日本专利 :JP2025096078A ,2025-06-26
[2]
酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7425933B1 ,2024-01-31
[3]
酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7493688B1 ,2024-05-31
[4]
酸化物半導体薄膜積層体及びその製造方法、薄膜半導体装置及びその製造方法、及びスパッタリングターゲット及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7425931B2 ,2024-01-31
[5]
酸化物半導体薄膜、半導体デバイス及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7430843B1 ,2024-02-13
[6]
酸化物半導体薄膜、半導体デバイス及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法[ja] [P]. 
HAYASAKA RYOICHIRO ;
UENO MITSURU ;
HANNA TAKU ;
YANO KENTA .
日本专利 :JP2025042539A ,2025-03-27
[7]
酸化物半導体ターゲット、酸化物半導体膜及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2014168224A1 ,2017-02-16
[8]
酸化物半導体ターゲット、酸化物半導体膜及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6341198B2 ,2018-06-13
[9]
スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6059513B2 ,2017-01-11
[10]
スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2014112368A1 ,2017-01-19
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