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酸化物半導体ターゲット、酸化物半導体膜及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ[ja]

被引：0
申请号：
JP20150511306
申请日：
2014-04-10
公开(公告)号：
JP6341198B2
公开(公告)日：
2018-06-13
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
C23C14/34
IPC分类号：
C23C14/08 H01L21/336 H01L21/363 H01L29/786
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
酸化物半導体ターゲット、酸化物半導体膜及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2014168224A1 ,2017-02-16
[2]
酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7425933B1 ,2024-01-31
[3]
酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7493688B1 ,2024-05-31
[4]
酸化物半導体膜、トランジスタ、及び半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP6305683B2 ,2018-04-04
[5]
酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット及びその製造方法[ja] [P]. 
WAKAI MASAFUMI ;
HANNA TAKU ;
HAYASAKA RYOICHIRO ;
MATSUMOTO KOICHI .
日本专利 :JP2025096078A ,2025-06-26
[6]
酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7493666B1 ,2024-05-31
[7]
トランジスタ及び酸化物半導体[ja] [P]. 
日本专利 :JP7130085B2 ,2022-09-02
[8]
酸化物半導体薄膜トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP7681959B2 ,2025-05-23
[9]
金属酸化物半導体の製造方法、金属酸化物半導体および薄膜トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP5640323B2 ,2014-12-17
[10]
酸化物焼結体、酸化物半導体膜及び薄膜トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6305775B2 ,2018-04-04
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