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金属酸化物半導体の製造方法、金属酸化物半導体および薄膜トランジスタ[ja]
被引：0
申请号：
JP20090103641
申请日：
2009-04-22
公开(公告)号：
JP5640323B2
公开(公告)日：
2014-12-17
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/368
IPC分类号：
H01L21/336
H01L29/786
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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