共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
金属酸化物半導体薄膜トランジスタの製造方法[ja]
被引：0
申请号：
JP20160528381
申请日：
2014-06-11
公开(公告)号：
JP6426177B2
公开(公告)日：
2018-11-21
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/336
IPC分类号：
H01L29/786
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |